Первый в мире усилитель на GaN-чипсете представлен Fujitsu

Fujitsu и Fujitsu Laboratories анонсировали свою новую разработку - первый в мире, по их утверждению, чипсет на основе HEMT (High Electron Mobility Transistor – транзистор с высокой подвижностью электронов) с применением нитрида галлия (GaN). Устройство представляет из себя приёмо-передающий усилитель для оборудования широкополосной беспроводной связи, работающего в миллиметровом диапазоне от 70 ГГц до 100 ГГц. В ближайшее время ожидается рост этого сегмента. Передающая часть обеспечивает самый высокий в мире уровень выходной мощности, составляющий 350 мВт, а принимающий усилитель в свою очередь обладает наивысшим уровнем коэффициента усиления – 310х в диапазоне W-band (миллиметровый) с низким коэффициентом шума в пределах 3,8 дБ.

По сравнению с технологией на основе арсенида галлия, новый чипсет-усилитель обладает вчетверо большей выходной мощностью, а коэффициент шума снижен на 40%, при этом диапазон передачи увеличен втрое. Разработка может использоваться как альтернатива оптоволоконным каналам связи, поскольку послужит устранению цифрового разделения (которое отражает неравный доступ пользователей к информации) в беспроводных коммуникациях путём производства оборудования для магистральных линий и сверхвысокоскоростного фиксированного доступа. В итоге беспроводная связь станет более практичной.