Toshiba и SanDisk переходят на 20-нм техпроцесс

Toshiba и её партнёр по сектору NAND SanDisk вынашивают планы массового производства микросхем флэш-памяти по 20-нм техпроцессу во второй половине 2010 года, согласно источникам в индустрии. Вместе с переходом на новую технологию совместные производственные мощности компаний в Йоккаичи (префектура Мие, Япония) будут выпускать до 200 тыс. пластин ежемесячно. Toshiba, недавно начавшая массовые поставки 32-нм устройств с тремя битами на ячейку (3bpc), ожидает, что к концу этого года с линий в Йоккаичи будет сходить более 50% этой продукции.

Тем временем, конкурирующая группа из Intel и Micron Technology планирует представить 2х-нм технологический процесс позже в 2009 году. Массовый выпуск их 32-Гбит чипов NAND с использованием 34-нм 3bpc уже на подходе – задача поставлена совместной структуре IM Flash Technologies. Прилагает усилия для завоевания большей доли рынка SSD-дисков и Samsung, модифицируя оборудование для выпуска 8" пластин в Остине, Техас под 12" с целью выхода большего количества микросхем NAND начиная со второй половины 2010 года. В настоящий момент корейский гигант применяет 42-нм технологию. Структура стоимости SSD-накопителей будет существенно оптимизирована с переходом флэш-памяти на 2х-нм техпроцесс, ускоряя таким образом замену жёстких дисков.