FRAM-память обеспечивает 10 лет хранения данных

Компания Ramtron разработала ферроэлектрическую память, представленную модулем FM23MLD16 8Mbit с питанием 3 В в корпусе форм-фактора FBGA (48 контактов). Как утверждает производитель, память обеспечивает быстрый доступ, фактически неограниченное число циклов чтения/записи и низкое энергопотребление. Совместимая по контактам с асинхронной статической памятью SRAM, новая разработка нацелена на использование в робототехнике, сетевых RAID-хранилищах, мультифункциональных принтерах, автонавигационных системах и т.д. Разработчики электронных систем могут получить в восемь раз большую емкость в эквивалентном корпусе TSOP32.

FM23MLD16 имеет 16 независимых от питания ячеек емкостью 512 Кбит. Время доступа составляет 60 нс, регенерации – 115 нс. Разработчик гарантирует более 100 трлн циклов записи и 10-летний срок сохранности данных. Производительность существенно превосходит энергозависимую SRAM (BBSRAM); кроме того, FRAM устойчива к влаге, ударам и вибрации. В случае падения напряжения до критического уровня, доступ к массиву памяти блокируется во избежание потери данных. 8-байтные операции чтения/записи в страничном режиме осуществляются на частоте до 33 МГц. В активном режиме потребление тока составляет 9 мА, пассивный требует 180 мкА. Память соответствует требованиям стандарта RoHS и доступна для оптовых заказов от 10 тыс. по цене $29,23.