GlobalFoundries осваивает 22-нм техпроцесс

Образованная всего лишь несколько месяцев назад компания GlobalFoundries Inc. начинает наращивать темпы своего развития – в ходе выставки Computex 2009 были показаны образцы кремниевых пластин со сформированной структурой 45-нм, 32-нм и даже 28-нм интегральных микросхем; на прошлой неделе компания заявила о начале строительства второго производственного комплекса Fab2, расположенного близ Нью-Йорка. И вот теперь новая информация о достижениях компании GlobalFoundries, на этот раз связанных с разработкой технологии изготовления интегральных микросхем. Справедливости ради отметим, что представленная ниже технология является результатом совместной работы специалистов и GlobalFoundries, и компании IBM.

О своих достижениях исследователи рассказали публике в ходе доклада, прочитанного на симпозиуме 2009 Symposium on VLSI Technology. Главной темой выступления стала технология, позволяющая формировать структуру транзисторов интегральных микросхем, изготовленных по 22-нм техпроцессу. Стоит отметить, что разработчики продолжают практику применения higk-k-диэлектриков и металлического затвора для создания транзисторов с требуемым набором свойств.

Главный акцент сделан на снижении эквивалентной толщины оксида (equivalent oxide thickness - EOT), играющего роль диэлектрика в полевых транзисторах типа MOSFET. Разработчикам удалось снизить этот параметр до следующих значений: 0,55 нанометров в случае MOSFET-транзисторов с n-типа, и 0,7 нанометров в случае MOSFET-транзисторов p-типа. В результате наблюдается заметное улучшение вольтамперных характеристик транзисторов.

Вольтамперные кривые

Влияние толщины EOT на характеристики транзисторов

Так почему же такое значительное внимание уделяется именно толщине слоя диэлектрика? На данный момент подавляющее большинство производителей интегральных микросхем продолжают применение higk-k-диэлектриков и металлического затвора для формирования полевых транзисторов. Но для того, чтобы продолжать миниатюризацию микросхем, переходя на использование все более точных техпроцессов, крайне необходимо снижать такой параметр, как EOT, и здесь большинство исследователей сталкиваются со значительными трудностями. Сотрудникам GlobalFoundries и IBM удалось решить проблему благодаря применению новейшего материала, очищающего переходные слои диэлектрик-полупроводник и диэлектрик-металл от кислорода, и, тем самым, позволяя формировать более тонкую структуру полевых транзисторов. К сожалению, разработчики не стали раскрывать информацию о свойствах нового материала – пока эти сведения необходимо держать в секрете, чтобы сохранить преимущество перед конкурентами.

Структура FET

Разработка специалистов GlobalFoundries и IBM позволит инженерам не только осваивать 22-нм техпроцесс, но и более прецизионные технологии изготовления интегральных микросхем. Разработчики сообщают, что те же принципы лягут в основу и 16-нм технологии.

Александр Бакаткин, 3DNews





Интересные новости
Экспресс тест: ATI Mobility Radeon HD 3470
Экспресс-тест: Atom N450 против Atom N270/N280, Celeron M 353 и VIA C7-M
Многообразие версий GeForce GTX 460 от партнёров NVIDIA
Экспресс-тест: ATI Mobility Radeon HD 5470
48 ядер в 2007 году?
Блок рекламы


Похожие новости

Каждый из необходимых Intel для работы с техпроцессом 18A сканеров ASML будет стоить более $340 млнКаждый из необходимых Intel для работы с техпроцессом 18A сканеров ASML будет стоить более $340 млн
Intel договорилась с ASML о поставке оборудования для запуска техпроцесса 18A в 2025 годуIntel договорилась с ASML о поставке оборудования для запуска техпроцесса 18A в 2025 году
Пожар на берлинском заводе ASML затронул производство оптики для EUV-сканеров — это может сорвать сроки освоения тонких техпроцессовПожар на берлинском заводе ASML затронул производство оптики для EUV-сканеров — это может сорвать сроки освоения тонких техпроцессов
AMD показала процессор Ryzen на архитектуре Zen 4 — 5-нм техпроцесс, 5 ГГц, сокет AM5, поддержка DDR5 и PCIe 5.0AMD показала процессор Ryzen на архитектуре Zen 4 — 5-нм техпроцесс, 5 ГГц, сокет AM5, поддержка DDR5 и PCIe 5.0
Основной акционер GlobalFoundries ожидает, что оборот полупроводниковой отрасли за десять лет превысит $1 трлн
MediaTek объявила о подготовке «самого продвинутого чипсета», выполненного по 4-нм техпроцессу
Производственные мощности GlobalFoundries полностью забронированы до 2023 года
Samsung начала массовое производство самой современной оперативной памяти DDR5 по техпроцессу 14-нм EUV
Слухи: MediaTek Dimensity 2000 будет производиться по нормам 4-нм техпроцесса
TSMC подтвердила задержку 3-нм техпроцесса на 3–4 месяца
Последние новости

Подгружаем последние новости