Toshiba открывает эру 32-нм флэш-памяти

Японская компания Toshiba Corporation официально заявила о намерении вскоре начать поставки микросхем флэш-памяти типа NAND MLC, выполненных по 32-нм проектным нормам. Сегодня уже доступны ознакомительные образцы 32-Гбит чипов, которые отличаются наибольшей плотностью из всех представленных на рынке решений. В июле партнеры Toshiba получат образцы 16-Гбит микросхем, выпущенных по 32-нм техпроцессу.

Напомним, в ноябре прошлого года компании Intel и Micron заявили о начале производства NAND MLC памяти по нормам 34 нм. Эти чипы выпускаются на 300-мм пластинах и обладают емкостью 32 Гбит.

Пресс-служба Toshiba отмечает, что спрос на флэш-память постоянно увеличивается благодаря расширению рынка мобильных телефонов и другого мобильного оборудования с поддержкой воспроизведения мультимедиа. Повышаются требования к емкости и компактности чипов. Toshiba надеется, что с выпуском новых 32-нм продуктов ей удастся укрепить свои позиции на рынке.

Массовое производство 32-Гбит памяти намечено на июль 2009 года. Серийный выпуск моделей емкостью 16 Гбит стартует в третьем квартале текущего финансового года, то есть в период с октября по декабрь 2009. Новинки будут производиться на заводе Yokkaichi Operations в префектуре Миэ.