Самые тонкие в отрасли MOSFET-транзисторы от Sanyo

Компания Sanyo Electric готовится к выпуску уникальных полевых MOSFET-транзисторов, которые будут отличаться самыми малыми габаритными размерами в отрасли. По сравнению с продуктами предыдущего поколения, новинки обладают на 66% меньшей площадью и на 56% меньшей толщиной.

В абсолютных величинах площадь новых полупроводниковых приборов составляет 1 х 1,4 мм, а толщина – всего 0,37 мм. Как отмечает Sanyo, этой самые тонкие в отрасли MOSFET-транзисторы. Ещё одной отличительной особенностью новых транзисторов является малая масса. Они весят около 1 мг, то есть на 86% легче предшественников. Новинки ориентированы на использование в мобильных телефонах и других карманных устройствах.

Для уменьшения габаритных размеров своих транзисторов Sanyo применила так называемую “up-drain” структуру, которая позволяет разместить исток, сток и затвор на одной стороне кристалла, а сам чип помещается в CSP-упаковку (Chip Scale Package, корпус с размерами кристалла). В транзисторах предыдущего поколения сток размещается на обратной стороне кристалла.

Другие производители также представили свои решения с “up-drain” структурой. По утверждению Sanyo, её транзисторы отличаются от продукции конкурентов наилучшим в отрасли сопротивлением в открытом состоянии, несмотря на миниатюрные габариты. Для p-транзисторов сопротивление составляет 50 мОм, для n-транзисторов – 27 мОм (при напряжении затвора 4,5 В).

Sanyo выпустит две модели транзисторов с каналом p-типа и одну модель с каналом n-типа. Отгрузки первых образцов стартуют в мае, а массовое производство намечено на июль 2009.