Micron и Sun выпустили износоустойчивую флэш-память

Компании Micron и Sun разработали флэш-память, способную выдерживать до миллиона циклов перезаписи информации, сообщает TG Daily. Выпускаемая в настоящее время флэш-память обладает значительно меньшим сроком службы.
Micron уже начала тестовые поставки модулей флэш-памяти, изготовленных по новой технологии. Максимальная емкость модуля - 32 гигабита. Их серийное производство будет запущено в первом квартале 2009 года.

Представители Micron подчеркивают, что разработанная ими флэш-память оптимальна для использования в областях, где требуется повышенная надежность накопителя. Это, например, системы хранения данных, SSD-накопители и промышленное оборудование.

В настоящее время среднестатистическая флэш-память выдерживает не менее 10 тысяч циклов перезаписи информации. После этого корректная работа носителя не гарантируется.

В середине текущего года компании Samsung и Sun анонсировали совместный проект по разработке износоустойчивой флэш-памяти. Ожидается, что эта флэш-память будет выдерживать в пять раз больше циклов перезаписи информации, чем существующие образцы.